Preview

Российские нанотехнологии

Расширенный поиск

ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ И СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МЕМБРАН ДЛЯ МЭМС-ПРИБОРОВ

Полный текст:

Аннотация

Разработана технология формирования заготовок наноструктурированных мембран для МЭМС- приборов на основе чередующихся слоев Si3N4 /SiO2 с нанометровыми толщинами. Проведено комплексное исследование структуры и состава мембран с применением методов микроанализа на основе спектральной эллипсометрии, растровой электронной микроскопии (РЭМ), вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС), электронной ожеспектроскопии (ЭОС), зондовой профилометрии и рентгеновской дифрактометрии. Экспериментально определены механические напряжения в кремниевых пластинах с заготовками наноструктурированных мембран.

Об авторах

Н. А. Дюжев
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Е. Э. Гусев
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Т. А. Грязнева
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


А. А. Дедкова
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Д. А. Дронова
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


В. Ю. Киреев
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Е. П. Кириленко
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Д. М. Мигунов
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Д. В. Новиков
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


Н. Н. Патюков
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


А. А. Преснухина
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия


А. Д. Бакун
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия


Д. С. Ермаков
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия


Список литературы

1. Zorman C. Material Aspects of Micro- and Nanoelectromechanical Systems. Springer Handbook of Nanotechnology. Berlin: Springer-Verlag. 2007.

2. Урманов Д. Концепция развития производства МЭМС- изделий в России на период до 2017 года // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2013. С. 192–199.

3. Dyuzhev N., Novikov D., Ryabov V. Application of streamlined body for properties amplification of thermoresistive MEMS gas flow sensor. // Solid State Phenomena. 2016. V. 245. Р. 247–252.

4. Бернард Д. Критерии выбора рентгеновской трубки // Технологии в электронной промышленности. 2010. С. 48–53.

5. May G.S., Spanos C.J. Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control. New Jersey: John Wiley & Sons, Inc. 2006.

6. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology / Edited by Y. Nishi and R. Doering. Second Edition. N.Y.: Marcell Dekker Inc. 2008.

7. Handbook of Semiconductor Interconnection Technology / Edited by G.C. Schwartz and K.V. Srikrishnan. Second Edition. N.Y.: CRC Press, Taylor & Francis Group. 2006.

8. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. М.: ФГУП «ЦНИИХМ». 2008.

9. TOF.SIMS 5 brochure. www.iontof.com

10. Плешивцев Н.В., Бажин А.И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М.: Вузовская книга. 1998.

11. Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир. 1987.

12. Дюжев Н.А., Дедкова A.A., Гусев E.Э., Новак А.В. Методика измерения механических напряжений в тонких пленках на пластине с помощью оптического профилометра // Известия Вузов. Электроника. 2016. C. 367–372.

13. Stoney G. G. The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proc. Royal Soc. London. 1909. V. 82. P. 172–175


Просмотров: 51


ISSN 1992-7223 (Print)