Preview

Российские нанотехнологии

Расширенный поиск

ИССЛЕДОВАНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ОСАЖДАЕМЫХ В ПРОЦЕССЕ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

Полный текст:

Аннотация

Проведены исследования влияния воздействия лазерного излучения с длиной волны 970 нм и плотностью мощности в диапазоне 0,29–2,10 Вт/см2 на процесс атомно-слоевого осаждения (АСО) пленок оксида алюминия из прекурсоров: триметилалюминий (ТМА) + пары воды. Лазерное облучение осуществлялось на стадиях откачки реактора после подачи прекурсоров. В результате комплексных исследований на основе спектральной эллипсометрии, атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифрактометрии и вторичной ионной масс-спектрометрии показано, что лазерное облучение: — не изменяет скорость осаждения пленок оксида алюминия на кремниевые пластины; — не изменяет поверхностный рельеф (шероховатость) на облученных и не облученных участках пленок оксида алюминия; — не изменяет химический состав облученных и не облученных пленок оксида алюминия по глубине; — уменьшает на 5,0–10 % среднюю плотность пленок оксида алюминия на облученных участках по сравнению с необлученными участками.

Об авторах

А. А. Дедкова
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


Н. А. Дюжев
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


В. Ю. Киреев
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


И. Э. Клементе
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук
Россия

 117218, Москва, Нахимовский просп., 34



А. В. Мяконьких
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук
Россия

 117218, Москва, Нахимовский просп., 34



К. В. Руденко
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук
Россия

 117218, Москва, Нахимовский просп., 34



Список литературы

1. Киреев В.Ю., Столяров А.А. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. М.: Техносфера, 2006. 192 с.

2. Gutsche M., Seidl H., Hecht T. Schroeder U. Atomic layer deposition for advanced DRAM applications. In: Future Fab. 14th issue. London: Technology Publishing Ltd., 2003. P. 213–217.

3. Семикина Т.В., Комащенко В.Н., Шмырева Л.Н. Нанотехнологии: основы метода атомного послойного осаждения, оборудование, применение в наноэлектронике. В книге: Электроника и связь. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». Часть 1. 2009. С. 60–66.

4. Atomic layer deposition for semiconductors / Editors Cheol Seong Hwang, Cha Young Yoo. New York: Springer Science + Business Media, 2014. 263 p.

5. Vogler D., Doe P. Atomic layer deposition special report: Where’s the metal? // Solid State Technology. 2003. V. 46. P. 35–40.

6. Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976. 140 с.

7. Алесковский В.Б. Структурная организация вещества // Информационный листок дирекции НИИ химии и деканата химического факультета от 04.06.2002. № 15/02 (190). С. 1–4.

8. Малыгин А.А. Нанотехнологии молекулярного наслаивания (обзор) // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. № 3–4. С. 87–100.

9. Suntola T., Antson J. Surface chemistry of atomic layer deposition. U.S. Patent No. 4058430 (15.11.1977).

10. Алехин А.П., Болейко Г.М., Гудкова С.А. Тетюхин Д.В. Синтез биосовместимых поверхностей методами нанотехнологий // Российские нанотехнологии. 2010. Т. 5. № 9–10. С. 128–136.

11. Белов А.Н., Гусев Е.Э., Дюжев Н.А., Золотарев В.И., Киреев В.Ю. Суперконденсатор на основе КМОП-технологии. Патент РФ № 2629364 (07.12. 2016).

12. Путконен М., Тузовский В. Новые применения атомнослоевого осаждения // Наноиндустрия. 2010. № 5. С. 18–21.

13. Репинский С.М. Химическая кинетика роста слоев диэлектриков // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1989. С. 90–152.

14. Майоров Э. Реализация нанотехнологии атомно-слоевого осаждения на оборудовании компании Beneq: от лаборатории к промышленности // Компоненты и технологии. 2013. № 10. С. 48–53.

15. Искандарова И.М., Книжник А.А., Рыкова Е.А., Багатурьянц А.А., Уманский С.Я., Потапкин Б.В., Stoker M.W. Моделирование роста пленки в процессе атомного осаждения слоев // Физико-химическая кинетика в газовой динамике. 2006. № 4. С. 388–402.

16. Сайко Д.С., Ганжа В.В., Титов С.А., Арсентьев И.Н., Костюченко А.В., Солдатенко С.А. Адсорбционные слои воды на поверхности тонких пленок оксида алюминия // Журнал технической физики. 2009. Т. 79. № 12. С. 86–91.

17. Яворский Б.М., Детлаф А.А., Лебедев А.К. Справочник по физике. 8-е изд. М.: Оникс, 2006. 1056 с


Просмотров: 47


ISSN 1992-7223 (Print)