Preview

Российские нанотехнологии

Расширенный поиск

НОВЫЕ ИЗОТОПИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Полный текст:

Аннотация

В статье предложен подход к повышению скорости передачи информации в волоконно-оптических систем за счет применения элементов из изотопических материалов. Показано, что наиболее перспективным направлением проектирования изотопических материалов является создание новых полупроводников из изотопов элементарных химических веществ на базе модели сверхрешетки, в частности на изотопах кремния. Рассмотрен базовый технологический процесс получения изотопических материалов.

Об авторах

Л. М. Журавлева
Московский государственный университет путей сообщения Императора Николая II (МИИТ)
Россия
Москва, 127994, ул. Образцова, 9, стр. 9


Н. М. Легкий
Московский технологический университет (МИРЭА)
Россия
Москва, 119454, просп. Вернадского, 78


Список литературы

1. Журавлева Л.М., Потапов А.А. Развитие отрасли нанотехнологий в России: методология, концепция и практика: монография. М.: АНО Изд. дом «Науч. Обозрение», 2014. 160 с.

2. Плеханов В.Г., Журавлева Л.М. Изотоптроника — новое направление нанонауки // Нанотехника. 2012. № 1. С. 88–93.

3. Журавлева Л.М., Новожилов А.В., Кручинин А.С. Потенциальные возможности повышения пропускной способности оптического канала связи // Успехи современной радиоэлектроники. 2013. № 7. С. 11–16.

4. Plekhanov V., Zhuravleva L., Legkiy N. Using isotopic effect in nanostructures // Life Science Journal. 2014. Vol. 11. № 7s. P. 306–309 (ISSN:1097-8135). www.lifesciencesite.com/lsj/life110 7s/064_24649life1107s14_306_309.pdf

5. Zhuravleva L., Legkiy N., Plekhanov V. Isotopic nanostructures // Life Science Journal. 2014. Vol. 11. P. 8s. www.lifesciencesite. com/lsj/life1108s/073_24926life1108s14_331_335.pdf

6. Plekhanov V.G. Elementary excitations in isotope — mixed crystals // Phys. Rep. 2005. Vol. 410. № 1. P. 235.

7. Журавлева Л.М., Плеханов В.Г. Изотопическая нанотехнология низкоразмерных структур // Нано- и Микросистемная техника. 2010. № 9. С. 8–13.

8. Способ изготовления полупроводникового графена: пат. 2544266 Рос. Федерация: МПК Н01L 21/261 B82B 3/00 / Л.М. Журавлева, В.Г. Плеханов; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО МГУПС (МИИТ). № 2013122597/28 заявл. 17.05.2013; опубл. 20.03.2015 Бюл. № 8. с. 10: ил.

9. Способ изготовления фотонно-кристаллического волокна: пат. 2401814 Рос. Федерация: МПК СО 3В 37/018 / Л.М. Журавлева, В.Г. Плеханов; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО МГУПС (МИИТ). № 2009120290/03; заявл. 29.05.2009; опубл. 20.10.2010 Бюл. № 29. с. 18: ил.

10. Лаб. работа № 13 «Определение периода полураспада изотопа 28 13 Al». http://nuclphys.sinp.msu.ru/p/Zad_13.pdf

11. Ландсберг Г.В. Оптика. М.: Физматлит, 2006. 848 с.

12. Смирнов Л.С., Соловьев С.П., Стась В.Ф., Харченко В.А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск: Наука, 1981. 182 с.


Просмотров: 41


ISSN 1992-7223 (Print)