Preview

Российские нанотехнологии

Расширенный поиск

Исследование возможности получения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними с помощью процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения

https://doi.org/10.21517/1992-7223-2019-5-6-50-55

Полный текст:

Аннотация

В настоящее время для получения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними в производстве интегральных микросхем применяются процессы атомно-слоевого осаждения и магнетронного распыления. Однако существуют процессы ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения, которые в основном используются для получения многослойных оптических покрытий. Исследована возможность получения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними в процессах ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения. Исследования проведены методами времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии и спектральной эллипcометрии. На примере структуры Ta (3 нм)/Nb (3 нм)/Ta (3 нм) впервые показано, что процесс ионно-лучевого осаждения позволяет формировать структуры с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними. Тогда как в процессе реактивного ионно-лучевого осаждения структуры Nb (3 нм)/Ta2 O5 (3 нм)/Nb (3 нм) происходит окисление на всю толщину металлического слоя, следующего за слоем оксида металла, за счет ионов, атомов и молекул кислорода, содержащихся в ионном пучке.

ВВЕДЕНИЕ

В 2018 году мировая микроэлектроника начала массовое производство передовых изделий инте­гральных микросхем (ИМС), к которым относятся микропроцессоры и устройства памяти с мини­мальными размерами 11/10 нм [1, 2]. А на пилот­ных линиях ведущих микроэлектронных фирм, таких как Intel, Samsung, TSMC и AMD, показа­на возможность изготовления передовых изделий с минимальным размером 7 нм [3, 4].

Одновременно со снижением минимальных размеров в горизонтальной плоскости уменьша­ются до нанометрового уровня и толщины функ­циональных слоев микроэлектронных изделий, особенно:

  • подзатворных диэлектриков КМОП-тран- зисторов [5];
  • барьерных и адгезионных слоев медной ме­таллизации [6];
  • полупроводниковых слоев лазеров на эпи­таксиальных гетероструктурах [7];
  • магнитных, металлических и диэлектриче­ских слоев ИМС энергонезависимой магнитной оперативной памяти (MagneticRAM) на передаче спинового вращательного момента или крутяще­го момента вращения спина (SpinTransferTorque, STT-MRAM) [8].

В микроэлектронном производстве для по­лучения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними используются процессы атомно-слоевого осажде­ния (atomic layer deposition — ALD) [9], разновидно­стью которых являются процессы атомно-слоевой эпитаксии (atomic layer epitaxy — ALE) [10], и про­цессы магнетронного распыления [11], разновид­ностью которых являются процессы реактивного магнетронного распыления [12].

Слои SiO2 и HfO2 нанометровой толщи­ны при формировании структур подзатворного узла МОП-транзисторов были осаждены пер­вый на кремниевую подложку, а второй на оксид кремния в [5] с помощью процессов атомно-сло­евого осаждения, а набор последовательно нане­сенных нанометровых пленок MgO, CoFeB и Ta для изготовления устройств памяти STT-MRAM был сформирован в [13] в процессе магнетронного распыления.

Наиболее предпочтительными и контролируе­мыми процессами нанесения слоев нанометровой толщины с резкой границей между ними являют­ся процессы атомно-слоевого осаждения (АСО). В процессах АСО за счет циклических дискретных химических реакций осуществляется послойное (по одному атомному слою материала за цикл) осаждение пленки материала из двух прекурсоров (реагентов), подаваемых в реактор последователь­но после стадий прокачки (продувки) реактора. Поэтому для получения пленки требуемой толщи­ны достаточно задать нужное количество циклов осаждения.

К сожалению, в настоящее время не для всех материалов, используемых в микроэлектронном производстве, особенно представляющих собой двух- и более элементные соединения, существуют нужные прекурсоры (реагенты) [9].

Нанесение пленок в процессах магнетронного распыления основано на универсальном процессе физического распыления атомов или молекул ма­териалов мишеней в плазме газовых разрядов по­ниженного давления ускоренными ионами инерт­ных газов, обычно аргона. При наличии мишеней из требуемых материалов можно получить пленки этих материалов.

В случае использования мишеней из диэлек­трических материалов при магнетронном распы­лении в качестве источников подачи напряжения на мишени используются высокочастотные (ВЧ) генераторы, при этом магнетронное распыле­ние называется ВЧ-магнетронным распылением. Если в магнетронной системе нет ВЧ-генераторов, то пленки диэлектрических материалов, обычно окислов металлов, можно получить при распыле­нии металлических мишеней в плазме аргона и кис­лорода. При этом атомы и ионы кислорода будут окислять атомы металла и на мишени, и в плазме разряда, и на поверхности подложки при форми­ровании пленки. Такой процесс называется реак­тивным магнетронным распылением [12].

Хотя процессы магнетронного и реактивно­го магнетронного распыления достаточно просто реализуются с помощью магнетронных распыли­тельных систем, режимные параметры получения нанометровых пленок с резкими границами разде­ла между ними находятся в очень узких технологи­ческих диапазонах. Это связано с особенностями магнетронных распылительных систем.

В магнетронных разрядах нельзя независимо регулировать плотность ионного тока на мишень и энергию ионов, бомбардирующих мишень. По­этому скорость распыления мишени и, соответ­ственно, скорость осаждения пленок на подложки определяются мощностью магнетронного разряда. Магнетронный разряд существует в достаточно уз­ком диапазоне давлений рабочего газа. Он загора­ется при достаточно высоком значении минималь­ной мощности, при котором скорости распыления мишеней и скорости осаждения пленок на под­ложки достаточно высоки, что затрудняет кон­троль толщины пленок, особенно в нанометровом диапазоне [11, 12].

Энергия распыленных частиц материала ми­шеней даже при минимальных мощностях магнетронного разряда составляет несколько электронвольт [11], что способствует перемешиванию распыленных частиц с поверхностными атомами подложки и не позволяет получать пленки с рез­кими границами раздела. Для снижения энергии распыленных частиц в магнетронных системах подложкодержатели располагаются как можно дальше от распыляемых мишеней. Но при этом из-за столкновений распыленных частиц с моле­кулами остаточных газов (азота, кислорода и паров воды) и из-за более длительного воздействия по­следних на поверхность подложек происходит за­грязнение и изменение структуры и состава осаж­даемых пленок.

Таким образом, нанесение пленок нанометровой толщины с резкими границами раздела между ними является сложной технологической задачей для процессов магнетронного распыления, реше­ние которой еще больше затрудняется для процес­сов реактивного магнетронного распыления.

Системы ионно-лучевого осаждения имеют более широкие технологические возможности и работают в более широком диапазоне давлений, чем магнетронные системы, так как в них ион­ные пучки генерируются в камерах автономных ионных источников с возможностью раздельного управления плотностью ионного тока и энергии ионов [11]. Ионные пучки направляются в ваку­умную камеру, где расположены мишени и под- ложкодержатели с пластинами, и распыляют ма­териалы мишеней. Распыленные частицы (атомы или молекулы) материалов мишеней в вакуум­ной камере осаждаются на поверхность подложек и формируют нужные пленки.

Для распыления диэлектрических мишеней в процессах ионно-лучевого осаждения приме­няются нейтрализованные или скомпенсирован­ные по электрическому заряду ионные пучки [1]. Если системы ионно-лучевого осаждения не име­ют устройств нейтрализации или компенсации электрического заряда ионных пучков или уров­ни нейтрализации и компенсации недостаточ­ны для распыления диэлектрических мишеней, то для получения диэлектрических пленок, напри­мер оксидов металлов, используются металличе­ские мишени и пучки, состоящие из ионов аргона и кислорода. Ионы кислорода позволяют окислять материал металлической мишени с одновремен­ным его распылением ионами аргона, поэтому на поверхность подложки осаждается пленка ок­сида металла. Такой процесс называется реактив­ным ионно-лучевым осаждением [12, 14].

Так как системы ионно-лучевого осаждения в микроэлектронном производстве практически не применяются, то целью настоящей работы явля­ется исследование возможности получения струк­тур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними с помощью про­цессов ионно-лучевого и реактивного ионно-луче­вого осаждения.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Эксперименты проводили на установке ион­но-лучевого осаждения Aspira 150 производства компании ООО “Изовак” (Белоруссия), предна­значенной для нанесения стабильных прецизион­ных оптических покрытий [15]. Схема внутри ка­мерной оснастки установки Aspira 150 приведена на рис. 1.

 

Рис. 1. Схема внутри камерной оснастки установки “Aspira 150”.

 

Рабочая камера установки перед процессами осаждения откачивалась безмасляным форвакуумным и турбомолекулярным насосами до остаточно­го давления 1 · 10-3 Па. Установка оснащена двумя ионно-лучевыми источниками с компенсаторами объемного заряда ионного пучка: одним ионным источником для очистки поверхности подложки, а другим — для распыления мишени (рис. 2).

 

Рис. 2. Зависимости ионного тока основных положи­тельных ионов, нормализованного на максимальное значение, от глубины травления структуры Ta (3 нм)/ Nb (3 нм)/Та (3 нм) ионами O2+ с энергией 500 эВ.

 

Узел мишени снабжен магазином на шесть сменных мишеней из различных материалов. Рас­стояние между мишенями и подложками в процес­сах ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения покрытий составляло 180 мм.

Подложка прижималась к водоохлаждаемому подложкодержателю клампирующим кольцом, и в пространство между подложкой и подлож- кодержателем подавался гелий для обеспечения хорошего теплоотвода. Температура подложки в процессах ионной очистки и ионно-лучевого осаждения слоев устанавливалась на уровне 60°C.

В качестве подложек использовали кремние­вые пластины КДБ-12(100) диаметром 150 мм со сформированным на их поверхности термическим оксидом толщиной 0.6 мкм. Перед нанесением по­крытий проводилась ионная очистка поверхности подложек. Время нанесения слоев определялось путем измерения скорости осаждения по уходу ре­зонансной частоты кварцевого датчика, установ­ленного в вакуумной камере.

В процессе ионно-лучевого осаждения на под­ложку наносилась структура Ta (3 нм)/Nb (3 нм)/ Ta (3 нм). Режимы процессов ионной очистки под­ложки и ионно-лучевого осаждения указанной структуры приведены в табл. 1.

 

Таблица 1. Режимы процессов ионной очистки подложек и ионно-лучевого осаждения структуры Ta (3 нм)/ Nb (3 нм)/Ta (3 нм) на установке Aspira 150

Процесс

Расход рабочих газов, см3/мин

Рабочее давление,

Па

Напряжение ионного источника, кВ

Ток ионного источника, мА

Время обработки, с

Ar

Очистка подложки

10

0.06

1.0

40

120

Нанесение Ta

20

0.08

1.5

90

35

Нанесение Nb

20

0.08

1.5

90

35

В процессе реактивного ионно-лучевого осаж­дения на подложку наносилась структура Nb (3 нм)/Ta2 O5 (3 нм)/Nb (3 нм).  Режимы процессов ионной очистки подложки и реактивного ионно­лучевого осаждения указанной структуры приве­дены в табл. 2.

 

Таблица 2. Режимы процессов ионной очистки подложек и реактивного ионно-лучевого осаждения структуры Nb (3 нм)/Ta2 O5 (3 нм)/Nb (3 нм) на установке Aspira 150

Процесс

Расход рабочих

газов, см3/мин

Рабочее

давление,

Па

Напряжение ионного ис­точника, кВ

Ток ионного источника, мА

Время обработ­ки, с

Ar

O2

Очистка подложки

5.0

15

0.06

2.0

50

120

Нанесение Ta

21

0

0.11

3.0

70

50

Нанесение Nb

21

0

0.11

3.0

70

17

Нанесение Ta2O5

11

60

0.17

3.8

90

25

Каждая из двух исследуемых многослойных структур Ta (3 нмХ/Nb (3 нм)Дк (3 нм) и Nb (3 нм)/ Ta2O5 (3 нм)/Nb (3 нм) формировалась на пяти пла­стинах.

Для исследования распределения элементов по глубине в полученных многослойных струк­турах использовался метод времяпролетной вто­рично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС, или SIMS — Secondary Ion Mass-Spectrometry). Не­смотря на высокую энергию аналитического пуч­ка, благодаря использованию импульсного режима ток аналитического пучка и доза, вносимая в про­цессе анализа, оказываются пренебрежимо малы. В результате разрешение по глубине определяется энергией распыляющего пучка, которая может со­ставлять всего несколько сотен электронвольт.

В современных времяпролетных спектрометрах разрешение по глубине составляет около 1 нм [16], поэтому целевое значение толщин слоев в получа­емых многослойных структурах было установлено по датчику толщины на 3 нм. Выбор конкретно трехслойных структур из данных материалов опре­делялся направлением работ авторов по проектам, связанным с изготовлением суперконденсаторов и барьерных слоев для медной металлизации [14].

В настоящей работе метод ВИМС реали­зовывался с помощью времяпролетного масс-спектрометра TOF.SIMS 5-100 компании IONTOF (Германия) с оптимальным разрешением по глуби­не <1 нм [17].

Анализ образцов полученных многослойных структур Ta (3 нм)/Nb (3 нм)Дк (3 нм) и Nb (3 нм)/ Ta2O5 (3 нм)/Nb (3 нм) в системе TOF.SIMS 5-100 проводился в следующих условиях:

  • анализирующий пучок ионов висмута Bi+ с током 5 пА имел энергию 30 кэВ и растр 100 х 100 мкм;
  • распыление образцов многослойных струк­тур проводилось ионами кислорода O2+ с энергией 500 эВ при анализе положительных вторичных ио­нов и ионами цезия Cs+ с энергией 500 эВ при ана­лизе отрицательных вторичных ионов. Размеры растра распыления: 300 х 300 мкм;
  • для калибровки сигналов ВИМС-анализа образцов структур по глубине кратера ионного травления использовался оптический профилометр Wуko NT9300 компании Veeco в режиме фа­зосдвигающей интерферометрии (PSI — phase shift interferometry), применяемом для изменения струк­тур с малым перепадом высот [18].

Для проведения таких измерений исходные образцы с кратерами ионного травления, по­лученными в процессе ВИМС-анализа, были покрыты слоем Al толщиной порядка 50 нм на установке “МВУ ТМ-Магна 150” производства ОАО “НИИТМ” (Россия) [19].

Для сравнения результатов анализа толщины и характеристик слоев образцы многослойных структур Ta (3 нм)/Nb (3 нм)/Та (3 нм) и Nb (3 нм)/ Ta2O5 (3 нм)/Nb (3 нм) были также исследованы с помощью спектральных эллипсометров Horiba Auto SE и Horiba Uvisel 2. Метод спектральной эллипсометрии применялся для оценки толщины и количества слоев. Для этого была проведена об­работка полученных экспериментальных эллип­сометрических характеристик Is и Ic, связанных с эллипсометрическими параметрами Ψ и Δ опти­мизационным методом [18].

В частности, использовались различные мо­дельные представления исследуемых структур, описывающие наличие или отсутствие каждого конкретного слоя, его толщины и оптические ха­рактеристики [20]. Исходя из такого комплексного анализа результатов, полученных методом спек­тральной эллипсометрии, были сделаны выводы о составе и толщине исследуемых структур, пред­ставленные в следующем разделе.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Результаты ВИМС-анализа образцов двух типов структур Ta (3 нм)/Nb (3 нм)/Ta (3 нм) и Nb (3 нм)/Ta2O5 (3 нм)/Nb (3 нм) в виде зави­симостей ионного тока от глубины травления об­разцов показаны на рис. 2 и 3.

 

Рис. 3. Зависимости ионного тока основных по­ложительных ионов, нормализованного на мак­симальное значение, от глубины травления струк­туры Nb (3 нм)/Ta2O5 (3 нм)/ Nb (3 нм) ионами О2+ с энергией 500 эВ. Фиксируемый уровень кислорода на данной структуре превышает динамический диа­пазон масс-спектрометра, что доказывает высокую степень окисления структуры.

 

Зависимости на рис. 2 четко показывают по­следовательные слои Ta, Nb и Ta толщиной по 3 нм каждый. В методе ВИМС разрешение по глубине чаще всего определяется как глубина, на которой сигнал от резко появляющегося слоя поднимается от 16 до 84% своей максимальной интенсивности. В рамках этого критерия про­филь ниобия свидетельствует, что граница разде­ла (или разрешение по глубине) в данном случае составляет не более 1.5 нм.

Данные эллипсометрических исследований структуры Ta/Nb/Ta подтверждают, что два верх­них слоя имеют суммарную толщину около 6 нм. Граница третьего слоя (глубинного слоя Ta) не фик­сируется на фоне интенсивного сигнала от 0.6 мкм оксида кремния подложки.

ВИМС-анализ образца структуры Nb (3 нм)/ Ta2O5 (3 нм)/Nb (3 нм), приведенный на рис. 3, по­зволяет сделать следующие заключения:

  • в структуре наблюдается чрезвычайно высо­кий сигнал кислорода, что свидетельствует о вы­сокой степени окисления входящих в структуру пленок;
  • в структуре присутствует верхний слой ни­обия (Nb) с задаваемой толщиной 3 нм, однако граница раздела верхнего слоя Nb со слоем оксида тантала (Ta2O5) практически полностью размыта;
  • в структуре фиксируется слой оксида тантала (Ta2O5) толщиной около 6 нм при заданной толщи­не в 3 нм и отсутствует внутренний (глубинный) слой ниобия (Nb) с заданной толщиной в 3 нм.

Отсутствие глубинного слоя ниобия связано с тем фактом, что при ионно-лучевом нанесении слоя оксида тантала (Ta2O5) на глубинный слой ни­обия (Nb) воздействует частично ионизованная га­зовая смесь аргон/кислород (Ar/O2) с процентным соотношением примерно 1 к 6 (табл. 2, последняя строка). В такой смеси глубинный слой Nb окис­ляется целиком атомами и ионами кислорода, и образуется слой оксида ниобия (Nb2O5), что на­блюдается при ВИМС-анализе.

Результаты эллипсометрических исследований структуры Nb/Ta2O5/Nb показывают, что:

  • толщина оксида SiO2 в областях подложек под структурой Nb/Ta2O5/Nb меньше, чем в об­ластях, экранированных клампирующим кольцом подложкодержателя без данных покрытий, что свя­зано с предварительной ионной очисткой подло­жек с использованием газовой смеси Ar/O2 = 1/3 (табл. 2, первая строка);
  • наблюдается высокая степень окисления вхо­дящих в структуру металлических пленок ниобия;
  • в структуре отсутствует четко выраженный внутренний (глубинный) слой ниобия.

Таким образом, эллипсометрические исследо­вания структуры Nb/Ta2O5/Nb хорошо подтверж­дают результаты и выводы ВИМС-анализа.

Результаты исследования образцов много­слойных структур с каждой пластины были оди­наковыми в пределах ошибки эксперимента, что показывает стабильность режимов проводи­мых технологических процессов.

ВЫВОДЫ

На основании проведенных эксперименталь­ных исследований с применением методов времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии и спектральной эллипсометрии впервые показано:

  • процесс ионно-лучевого осаждения в ре­жиме, приведенном в табл. 1, позволяет получать структуры со слоями нанометровой толщины и резкими границами между слоями;
  • процесс реактивного ионно-лучевого осаж­дения в режиме, приведенном в табл. 2, не позво­ляет получать структуры со слоями нанометровой толщины и резкими границами между слоями из-за окисления на всю толщину металлических сло­ев, следующих за слоями оксидов металлов, за счет ионов, атомов и молекул кислорода, содержащих­ся в ионных пучках.

Список литературы

1. Киреев В.Ю. Нанотехнологии в микроэлектронике. Нанолитография – процессы и оборудование. Долгопрудный: Издательский дом “Интеллект”, 2016. 320 с.

2. International Roadmap for Device and Systems (IRDS). 2017 Edition. Executive Summary // The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Incorporated. 2017. 30 с.

3. AMD Navi GPU is based on 7 nm process. https://fudzilla.com/news/graphics/43677-amd-navigpu-is-based-on-7nm-process.

4. Проектные нормы в микроэлектронике. 24.09.2018. www.nanonewsnet.ru/articles/2018/proektnye-normy-vmikroelektronike-gde-na-samom-dele-7-nanometrov-vtekhnologii-7nm.

5. Robertson J. High dielectric constant gate oxides for metal gate Si transistors // Rep. Prog. Phys. 2006. V. 69. P. 327. https://doi.org/10.1088/0034-4885/69/2/R02.

6. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Сулимин А.Д., Шевяков В.И. Металлизация ультрабольших интегральных схем. М.: БИНОМ, 2012. 277 с.

7. Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Пальма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. М.: Техносфера, 2009. 368 с.

8. UMC and Avalanche Technology partner for MRAM development and 28nm production. https://electroiq. com/2018/08/umc-and-avalanche-technology-partnerfor-mram-development-and-28nm-production.

9. Atomic Layer Deposition for Semiconductors / Editors Cheol Seong Hwang and Cha Young Yoo. USA. New York: Springer Science + Business Media, 2014. 263 p.

10. Асеев А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники // Российские нанотехнологии. 2006. Т. 1. № 1–2. С. 97.

11. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 328 с.

12. Берлин Е.В., Сейдман Л.А. Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением. М.: Техносфера, 2014. 256 с.

13. Sato H., Yamanouchi M., Ikeda S. et al. MgO/CoFeB/Ta/ CoFeB/MgO Recording Structure in Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Easy Axis // IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS. 2013. V. 49. №. 7. P. 4437. https://doi.org/10.1109/tmag.2013.2251326.

14. Handbook of Semiconductor Interconnection Technology / Eds. Schwartz G.C., Srikrishnan K.V. 2-nd edition. USA. N.Y. CRC Press, Taylor & Francis Group, 2006. 506 p.

15. Aspira 150. www.izovac.com.

16. Van der Heide P. Secondary ion mass spectrometry: an introduction to principles and practices. USA. New Jersey: John Wiley & Sons, 2014. 365 p.

17. TOF.SIMS 5 - 100 brochure. www.iontof.com.

18. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Михайлов Н.Н. Эллипсометрия – прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субмикронным разрешением // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 3–4. С. 106.

19. Установка «МВУ ТМ-Магна 150». www.niitm.ru.

20. Дедкова А.А., Киреев В.Ю., Мазуркин Н.С. Анализ ферромагнитных пленок с помощью системы исследования магнитооптического эффекта Керра и спектрального эллипсометра // Нано- и микросистемная техника. 2018. Т. 20. № 9. С. 521. https://doi.org/10.17587/nmst.20.521-527.


Об авторах

А. А. Дедкова
Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Россия

Дедкова Анна Александровна

Центр коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонентная база»

Сотовый телефон: 89636047182

E-mail: my_name9999@mail.ru



В. Ю. Киреев
Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Россия

Киреев Валерий Юрьевич

Центр коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонентная база» 



А. С. Мысливец
ООО “ИзовакТехнология”
Беларусь

Мысловец Александр Сергеевич 

Сотовый телефон: +375256749717



П. А. Розель
ООО “ИзовакТехнология”
Беларусь

Розель Петр Александрович 

Сотовый телефон: +375445568109 



А. Ю. Трифонов
Национальный исследовательский университет “МИЭТ”; Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина
Россия

Трифонов Алексей Юрьевич 

Сотовый телефон: 79160844965, 79629422696



Просмотров: 169


ISSN 1992-7223 (Print)