Preview

Российские нанотехнологии

Расширенный поиск

ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВА МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ МАТРИЦЫ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

Полный текст:

Аннотация

В настоящей работе продемонстрирован технологический маршрут формирования массива мемристорных структур с использованием самоорганизующейся матрицы пористого  анодного оксида алюминия. Предложено использовать матрицу пористого оксида алюминия в качестве  твердой маски для создания пор в расположенном под ним плотном слое оксида кремния, в  котором формируют материал, характеризующийся возможностью резистивного переключения.  К достоинству данной маски следует отнести воспроизводимость и высокоточное управления  геометрическими параметрами пор. Приведены результаты исследования вольтамперных  характеристик изготовленной мемристорной структуры на основе твердого электролита Cu2S.

Об авторах

А. Н. Белов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


А. А. Голишников
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


М. В. Кислицин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


А. А. Перевалов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


А. В. Солнышкин
Тверской государственный университет
Россия
170100, Тверь, ул. Желябова, 33


В. И. Шевяков
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Россия
124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, 1


Список литературы

1. Chua L.O. Resistance switching memories are memristors // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 102. № 4. P. 765–783.

2. Waser R., Aono M. Nanoionics-based resistive switching memories // Nature. Mater. 2007. V. 6. P. 833−840.

3. Yang J.J., Strukov D.B., Stewart D.R. Memristive devices for computing // Nature. Nanotechnol. 2013. V. 8. P. 13–24.

4. Белов А.Н., Перевалов А.А., Шевяков В.И. Мемристорные структуры для микро- и наноэлектроники. Физика и технология // Изв. вузов. Электроника. 2017. Т. 22. № 4. С. 305–321.

5. Qi J., Olmedo M., Ren J., Zhan N., Zhao J., Zheng J., Liu J. Resistive switching in single epitaxial ZnO nanoislands // ACS Nano. 2012. V. 6. P. 1051–1058.

6. Ahn Y., Son J.Y. Th e eff ect of size on the resistive switching characteristics of NiO nanodots // J. Phys. Chem. Solids. 2016. V. 99. P. 134–137.

7. Borghetti J., Snider G.S., Kuekes P.J., Yang J.J., Stewart D.R., Williams R.S. Memristive switches enable stateful logic operations via material implication // Nature. 2010. V. 464. P. 573–576.

8. Xia Q., Robinett W., Cumbie M.W., Banerjee N., Cardinali T.J., Yang J.J., Wu W., Li X., Tong W.M., Strukov D.B., Snider G.S., Medeiros-Ribeiro G., Williams R.S. Memristor-CMOS hybrid integrated for reconfi gurable logic // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 3640–3645.

9. Martínez L., Ocampo O., Kumar Y. Agarwal V. ZnO-porous silicon nanocomposite for possible memristive device fabrication // Nanoscale Res. Let. 2014. V. 9. P. 437–443.

10. Mares J.W., Fain J.S., Weiss S.M. Variable conductivity of nanocomposite nickel oxide/porous silicon // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 075307.

11. Веденеев А.С., Рыльков В.В., Напольский К.С., Леонтьев А.П., Клименко А.А., Козлов А.М., Лузанов В.А., Николаев С.Н., Темирязева М.П., Бугаев А.С. Эффекты электронного увлечения золота в порах анодного оксида алюминия: обратимое резистивное переключение в цепочке точечных контактов // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. № 6. С. 387–391.

12. Liang K., Huang C., Lai C., Huang J., Tsai H., Wang Yi., Shin Yu., Chang M., Lo S., Chueh Yu. Single CuOx nanowire memristor: forming-free resistive switching behavior // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2014. V. 6. P. 16537−16544.

13. Lee N.J., An B.H, Koo A.Y., Ji H.M., Cho J.W., Choi J., Kim K.K., Ka ng C.J. Resistive switching behavior in a Ni–Ag2Se–Ni nanowire // Appl. Phys. A. 2011. V. 102. P. 897–900.

14. Han U., Lee J. Bottom-up synthesis of ordered metal/oxide/metal nanodots on substrates for nanoscale resistive switching memory // Scientifi c Rep. 2016. V. 6. P. 25537.

15. Кислицин М.В., Королев М.А., Красюков А.Ю. Исследования процесса формирования пленки оксида кремния из раствора тетраэтоксисилана золь-гель методом // Известия вузов. Электроника. 2013. № 2 (100). С. 17–22.

16. Gavrilov S.A., Belov A.N., Zheleznyakova A.V., Barabanov D Yu., Shevyakov V.L., Vishnikin E.V. Factors eff ected on nanoporous anodic alumina ordering // Proceedings of SPIE. 2006. V. 6260. P. 626011.

17. Belov A.N. Local etching of silicon using a solid mask from porous aluminum oxide // Semiconductors. 2008. V. 42. № 13. P.1519–1521.

18. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Назаркин М.Ю., Шевяков В.А., Лемешко С.В. Особенности проведения измерений в сканирующей электронной микроскопии // Известия вузов. Электроника. 2011. № 3 (89). С. 75–81.


Просмотров: 35


ISSN 1992-7223 (Print)